LED发光道理及个性
- 颁布功夫： 2021-12-27
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（一）LED发光道理
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物 ，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体造成的 ，其主题是PN结。因而它拥有通常P-N结的I-N个性 ，即正向导通 ，反向截止、击穿个性。此表 ，在肯定前提下 ，它还拥有发光个性。在正向电压下 ，电子由N区注入P区 ，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部门与无数载流子（多子）复合而发光 ，
如果发光是在P区中发生的 ，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光 ，或者先被发光中心捕获后 ，再与空穴复合发光。除了这种发规复合表 ，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中央左近）捕获 ，而后再与空穴复合 ，每次开释的能量不大 ，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发规复合量的比例越大 ，光量子效能越高。由于复合是在少子扩散区内发光的 ，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 理论和实际证明 ，光的峰值波长λ与发光区域的半导体资料禁带宽度Ｅg有关 ，即λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的单元为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光） ，半导体资料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红表光。此刻已有红表、红、黄、绿及蓝光发光二极管 ，但其中蓝光二极管成本、价值很高 ，使用不普遍。
（二）LED的个性
1．极限参数的意思
（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值 ，LED发热、败坏。
（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可败坏二极管。
（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值 ，发光二极管可能被击穿败坏。
（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度领域。低于或高于此温度领域 ，发光二极管将不能正常工作 ，效能大大降低。
